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공기 필터용 래미네이트 ePTFE 필터 매체

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공기 필터용 래미네이트 ePTFE 필터 매체

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정보
원산지: 중국 장수 쑤저우
브랜드 이름: UNM
모델 시리즈 YKF
인증: SGS, ROSH
최소 주문 수량: 450m²
포장 세부사항: 판지 상자
배송 시간: 7-15일
결제 조건: T/T
일일 생산량 60000m/24h
설명

층상 ePTFE 필터 매체는 최대 99.99997%의 여과 정확도를 가지는 고효율, 소수성 필터 매체를 생성하며, 공기 중의 입자, 수증기 및 유해 가스를 효과적으로 차단할 수 있습니다. 이는 반도체 칩과 같은 정밀 전자 제품의 처리 및 정화 요구 사항을 완전히 충족시킬 수 있습니다.

우리 재료로 제작된 공기 필터는 EN 1822-2019, GB/T 13554, ISO 29463, IEST-RP-CCOO1 등을 충족시킬 수 있습니다.

빠른 세부 사항

ePTFE 필터 매체, HEPA 필터 매체, 적층 ePTFE 필터 매체, PTFE 필터 매체, 산업용 먼지 제거 소재, 공기 필터 매체, 공기 필터지

응용 프로그램

クリーンルーム 필터, 팬 필터 유닛, 반도체, LED 모니터, 산업 먼지 제거, 가전제품.

제품 사양
코드 번호 필터 등급 구조 평균 중량 평균 두께 평균 압력강하 평균 필터 효율 사이즈 범위
레이어 비직조물 g/㎡ mm [email protected]/s % μm
YKF080209S F9 2 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.35±0.1 ≤50 ≥ 60 0.3-0.5
YKF080210S E10 2 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.35±0.1 ≤65 ≥80 0.3-0.5
YKF080211S E11 2 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.35±0.1 ≤85 ≥90 0.3-0.5
YKF080212S E12 2 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.35±0.1 ≤110 ≥99 0.3-0.5
YKF080310S E10 3 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.40±0.1 18-45 ≥ 85 0.3-0.5
YKF080311S E11 3 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.40±0.1 35-70 ≥95 0.3-0.5
YKF080312S E12 3 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.40±0.1 60-100 ≥99.5 0.3-0.5
YKF080313H H13 3 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.40±0.1 125-170 ≥99.95 0.3-0.5
YKF080313L H13 3 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.40±0.1 85-130 ≥99.9 0.3-0.5
YKF080313S H13 3 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.40±0.1 95-140 ≥99.95 0.3-0.5
YKF080314H H14 3 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.40±0.1 170-220 ≥99.995 0.3-0.5
YKF080314L H14 3 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.40±0.1 130-180 ≥99.99 0.3-0.5
YKF080314S H14 3 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.40±0.1 140-190 ≥99.995 0.3-0.5
YKF080315H H15 3 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.40±0.1 220-275 ≥99.999 0.1-0.2
YKF080315L H15 3 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.40±0.1 180-235 ≥99.992 0.1-0.2
YKF080315S H15 3 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.40±0.1 190-245 ≥99.997 0.1-0.2
YKF080316H U16 3 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.40±0.1 270-330 ≥99.9999 0.1-0.2
YKF080316L U16 3 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.40±0.1 230-290 ≥99.9992 0.1-0.2
YKF080316S U16 3 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.40±0.1 240-300 ≥99.9997 0.1-0.2
YKF080317S U17 3 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.40±0.1 310-390 ≥99.99992 0.1-0.2
YKF080413S H13 4 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.35±0.1 100-165 ≥99.95 0.3-0.5
YKF080414S H14 4 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.35±0.1 150-215 ≥99.995 0.3-0.5
YKF080415S H15 4 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.35±0.1 200-265 ≥99.995 0.1-0.2
YKF080416S U16 4 양전자 방출 단층 촬영술 80±10 0.35±0.1 250-325 ≥99.9995 0.1-0.2
YKF090513H H13 5 양전자 방출 단층 촬영술 90±13 0.45±0.1 130-190 ≥99.97 0.3-0.5
YKF090513S H13 5 양전자 방출 단층 촬영술 90±13 0.45±0.1 100-160 ≥99.95 0.3-0.5
YKF090514H H14 5 양전자 방출 단층 촬영술 90±13 0.45±0.1 180~240 ≥99.997 0.3-0.5
YKF090514S H14 5 양전자 방출 단층 촬영술 90±13 0.45±0.1 150~210 ≥99.995 0.3-0.5
YKF090515H H15 5 양전자 방출 단층 촬영술 90±13 0.45±0.1 230-290 ≥99.999 0.1-0.2
YKF090515S H15 5 양전자 방출 단층 촬영술 90±13 0.45±0.1 200~260 ≥99.997 0.1-0.2
YKF090516H U16 5 양전자 방출 단층 촬영술 90±13 0.45±0.1 280-360 ≥99.9999 0.1-0.2
YKF090516S U16 5 양전자 방출 단층 촬영술 90±13 0.45±0.1 250-310 ≥99.9997 0.1-0.2
YKF090517S U17 5 양전자 방출 단층 촬영술 90±13 0.45±0.1 310-390 ≥99.99992 0.1-0.2
경쟁력 있는 장점

  • 산알칼리 저항성.

  • 우수한 화학적 내성, 산(예: 불화수소 HF), 알칼리 및 유기 용매에 대한 뛰어난 저항성.

  • 고 다공성, 양호한 방수성 및 통기성.

  • 초강력 방수, 우수한 기계적 강도 및 내구성.

  • 저 풍압 저항 및 고 먼지 잔류 용량.

  • 이 재료는 다층 캐스케이드 구조를 가지고 있어 풍압과 차단율 사이에서 더 나은 균형을 이루고 필터 매체의 먼지 잔류 용량을 크게 증가시킬 수 있습니다.

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